L'analisi del core i3-8121u al microscopio rivela i segreti del tri 10 nm

Il nuovo processo di produzione Tri-Gate a 10 nm di Intel resiste più del previsto poiché è già in ritardo di oltre due anni con il suo lancio inizialmente previsto. I ricercatori hanno sventrato un Core i3-8121U prodotto con questo processo, per cercare di chiarire alcune delle sue chiavi.

Il processo di produzione Intel Tri-Gate a 10 nm è molto ambizioso

L'analisi al microscopio del processore Core i3-8121U ha dimostrato che il processo di produzione Tri-Gate a 10 nm di Intel offre un aumento della densità del transistor fino a 2, 7 volte rispetto all'attuale processo a 14 nm Tri-Gate. Questo grande progresso ha permesso di integrare non meno di 100, 8 milioni di transistor per millimetro quadrato, il che si traduce in una quantità di 12, 8 miliardi di transistor in una dimensione matrice di soli 127 mm².

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Questo nodo a 10nm utilizza la tecnologia FinFET di terza generazione, che è caratterizzata da una riduzione del passo minimo del gate da 70nm a 54nm e un passo metallico minimo da 52nm a 36nm. Con questi 10 nm, Intel introdurrà la metallizzazione al cobalto negli strati di massa e di ancoraggio del substrato di silicio. Il cobalto è una buona alternativa al tungsteno e al rame come materiale di contatto tra gli strati, grazie alla sua resistenza inferiore in dimensioni più piccole.

Questo è il processo di produzione più ambizioso di Intel e questa sarebbe la causa principale di tutti i problemi che sta causando all'azienda, anche se tale ambizione sarà di scarsa utilità se non raggiungono un grado sufficiente di maturità. Speriamo che Intel sia in grado di perfezionarlo per offrirci i suoi migliori processori.

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