Rambus parla delle caratteristiche della memoria ddr5

Qualche giorno fa abbiamo ricevuto i primi dettagli della nuova tecnologia di memoria impilata ad alte prestazioni HBM3, ora vi forniamo i dettagli del nuovo DDR5 che arriverà nei prossimi anni per le nuove generazioni di processori.

DDR5 raggiungerà i 4800 MHz a 1, 2 V.

RAMBUS ha rilasciato le prime caratteristiche della futura memoria DDR5 che è già in una fase abbastanza avanzata del suo sviluppo, queste nuove memorie arriveranno con una frequenza di base di circa 4800 MHz, quindi saranno una buona spinta rispetto all'attuale DDR4, Possiamo dire che il DDR5 più lento sarà più veloce del più veloce del DDR4 approssimativamente.

Con il passare degli anni, questo nuovo DDR5 otterrà vantaggi in quanto accade con tutte le generazioni, il suo tetto potrebbe essere vicino a 6400 MHz, il che si traduce in una larghezza di banda massima di 51, 2 GB / s, raddoppia i 25, 6 GB / s ottenuti con l'attuale tecnologia DDR4.

Per rendere tutto ciò possibile, è stato preso un forte impegno per migliorare l'efficienza energetica, DDR5 sarà in grado di raggiungere 4800 MHz con una tensione di soli 1, 2 V, un miglioramento importante rispetto agli 1, 5 V che l'attuale DDR4 deve raggiungere 4600 MHz. Infine, evidenziamo che la capacità massima di ciascun modulo salirà a 128 GB in modo da poter vedere le configurazioni di 512 GB utilizzando solo quattro moduli.

Le prime memorie DDR5 arriveranno per tutto il 2019 con un processo di produzione a 10 nm, per poi migrare ai 7 nm più efficienti.

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