Samsung abbandonerà la tecnologia Finfet a 3nm, prevista per il 2022

Durante l' evento Samsung Foundry Forum 2018, il colosso sudcoreano ha rivelato una serie di nuovi miglioramenti nella sua tecnologia di processo finalizzata al calcolo ad alte prestazioni e ai dispositivi connessi. La società abbandonerà la tecnologia FinFET a 3 nm.

Samsung sostituirà il FinFET con un nuovo transistor con 3 nm, tutti i dettagli

La nuova tabella di marcia di Samsu ng si concentra sulla fornitura ai clienti di sistemi più efficienti dal punto di vista energetico per dispositivi destinati a una vasta gamma di settori. Charlie Bae, vicepresidente esecutivo e direttore delle vendite e del marketing per la fonderia, afferma: "La tendenza verso un mondo più intelligente e più connesso sta rendendo l'industria più esigente nei confronti dei fornitori di silicio".

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La prossima tecnologia di processo di Samsung è Low Power Plus 7nm basata sulla litografia EUV, che entrerà nella fase di produzione di massa durante la seconda metà di quest'anno e si espanderà nella prima metà del 2019. Il prossimo passo sarà il processo Low. Potenza Early 5nm che migliorerà l'efficienza energetica di 7nm a un nuovo livello. Questi processi saranno ancora basati sulla tecnologia FinFET, così come il prossimo a 4nm.

La tecnologia FinFET verrà abbandonata con il passaggio al processo 3nm Gate-All-Around Early / Plus, che si baserà su un nuovo tipo di transistor che consente di risolvere i problemi di ridimensionamento fisico presenti con FinFET. Mancano ancora alcuni anni prima che questo processo di produzione arrivi a 7 nm, le prime stime indicano l'anno 2022, anche se la cosa più normale è che ci sono alcuni ritardi.

Ci stiamo avvicinando al limite del silicio, stimato a 1nm, rendendo più difficile andare avanti con i nuovi processi produttivi e le lacune stanno diminuendo.

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