Samsung sviluppa il primo dramma 10nm di terza generazione

Samsung ha annunciato oggi di aver sviluppato per la prima volta nel settore una DRAM di terza generazione DDR4 con velocità di trasmissione dati 8 gigabit (Gb) 10 nanometri (1z-nm).

Samsung è un pioniere nella produzione di memorie DRAM

A soli 16 mesi da quando la seconda generazione della classe DDR4 da 8 Gb da 10 nm (1y-nm) ha iniziato a produrre in serie, lo sviluppo del DDR4 da 1G-nm da 8Gb senza l'uso dell'elaborazione Extreme Ultraviolet (EUV) ha spinto ulteriormente i limiti. della scala DRAM.

Poiché 1z-nm diventa il nodo di elaborazione della memoria più piccolo del settore, Samsung è pronta a rispondere alle crescenti richieste del mercato con la sua nuova DRAM DDR4 che ha una produttività manifatturiera superiore del 20% in più rispetto alla versione precedente di 1y-nm. La produzione in serie di DDR4 da 1z-nm e 8Gb inizierà nella seconda metà di quest'anno per ospitare la prossima generazione di server e PC aziendali di fascia alta che dovrebbero essere rilasciati nel 2020.

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Lo sviluppo della DRAM 1z-nm di Samsung apre la strada anche alla prossima generazione di memorie DDR5, LPDDR5 e GDDR6, che sono il futuro del settore. Maggiore capacità e prestazioni I prodotti 1z-nm consentiranno a Samsung di rafforzare la propria competitività e consolidare la propria leadership nel mercato della memoria DRAM "premium" per applicazioni quali server, grafica e dispositivi mobili.

Samsung ha colto l'occasione per dire che avrebbe aumentato parte della sua produzione di memoria principale nello stabilimento di Pyeongtaek in Corea per soddisfare la crescente domanda di DRAM.

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