Samsung ha creato i suoi primi nodi gaafet 3nm

Entro il 2030, Samsung prevede di diventare il principale produttore di semiconduttori al mondo, sovraperformando aziende come TSMC e Intel. Per raggiungere questo obiettivo, l'azienda deve avanzare a livello tecnologico, motivo per cui ha annunciato la creazione dei primi prototipi di chip GAAFET da 3 nm.

Samsung ha annunciato di aver prodotto i suoi primi prototipi in GAAFET a 3 nm

Samsung sta investendo in varie nuove tecnologie, sovraperformando la struttura FinFET della maggior parte dei transistor moderni verso un nuovo design chiamato GAAFET. Questa settimana, Samsung ha confermato di aver prodotto i suoi primi prototipi utilizzando il nodo GAAFET da 3 nm pianificato, un passo importante verso l'eventuale produzione in serie.

Rispetto al prossimo nodo 5nm di Samsung, il GAAFET 3nm è progettato per offrire livelli più elevati di prestazioni, una migliore densità e notevoli riduzioni del consumo energetico. Samsung stima che il suo nodo GAAFET da 3 nm offrirà un aumento del 35% nella densità del silicio e una riduzione del 50% nel consumo di energia rispetto al suo nodo da 5 nm. Inoltre, si stima che la riduzione del solo nodo aumenti le prestazioni fino al 35%.

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Samsung, quando annunciò inizialmente il suo nodo GAAFET a 3 nm, riferì che aveva pianificato di avviare la produzione di massa nel 2021, che è un obiettivo ambizioso per un nodo così avanzato. In caso di successo, Samsung ha l'opportunità di strappare quote di mercato da TSMC, supponendo che la sua tecnologia possa fornire prestazioni o densità migliori rispetto alle offerte di TSMC.

La tecnologia GAAFET di Samsung è un'evoluzione della struttura FinFET attualmente utilizzata nella maggior parte dei chip moderni. Ciò fornisce agli utenti una struttura a quattro porte attorno ai canali del transistor. Questo è ciò che dà a GAAFET il nome Gate-All-Around, poiché l'architettura a 4 porte copre tutti i lati del canale e riduce le perdite di energia. Ciò consente di utilizzare una percentuale più elevata della potenza di un transistor, aumentando l'efficienza e le prestazioni della potenza.

Tradotto in spagnolo, ciò significa che i processori e la grafica 3nm otterranno miglioramenti significativi in ​​termini di prestazioni e consumo energetico. Vi terremo informati.

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