Samsung inizia la produzione in serie dei suoi ricordi v

Samsung, leader mondiale nella produzione di chip di memoria, ha annunciato di aver avviato la produzione in serie della sua nuova tecnologia V-NAND a 64 strati che raggiunge una densità di 256 Gb per chip, per consentire una nuova generazione di dispositivi con capacità di memoria.

Nuove memorie V-NAND a 64 livelli di Samsung

Samsung ha già iniziato a produrre i suoi nuovi chip V-NAND a 64 layer da 256 Gb a gennaio, da allora ha lavorato per offrire agli utenti una nuova generazione di dispositivi con una grande capacità di archiviazione, inclusi smartphone, SSD e memorie UFS. integrato. Il nuovo passo è stato l' avvio della produzione in serie di questa nuova tecnologia di memoria che coprirà il 50% della sua produzione mensile fino alla fine dell'anno.

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La nuova memoria V-NAND a 64 livelli di Samsung ha una velocità di trasferimento di 1 Gbps, rendendola la più veloce disponibile sul mercato. Le sue caratteristiche più importanti continuano con un tempo di programmazione della pagina di soli 500 micro-secondi, è anche il più veloce sul mercato in questo senso e 1, 5 volte più veloce della precedente memoria a 48 strati dell'azienda. Questi dati sulle prestazioni si traducono in un aumento della produttività del 30% rispetto alla precedente memoria a 48 strati.

Continuiamo con l'efficienza energetica e cioè che i nuovi chip richiedono una tensione di ingresso di 2, 5 V, il 30% in meno rispetto alla precedente memoria a 48 strati, quindi l'efficienza energetica sarà migliore e il consumo della batteria dei dispositivi mobili l'integrazione sarà inferiore. Anche l'affidabilità dei nuovi chip di memoria è stata migliorata del 20%. Tutti questi miglioramenti sono stati resi possibili da diverse modifiche all'avanzato processo di fabbricazione V-NAND utilizzato dalla società sudcoreana.

Tutto questo è stato il risultato di 15 anni di ricerca e di oltre 500 brevetti nella struttura della memoria V-NAND al fine di ottenere il miglior design possibile. Samsung ha gettato le basi per continuare a migliorare la sua tecnologia di memoria, il passo successivo sono i chip a 90 strati con una capacità di 1 TB.

Fonte: Samsung