Samsung perde 60.000 wafer di memoria a causa di un'interruzione di corrente

Ulteriori problemi legati alla carenza di chip di memoria NAND, un rapporto di Taiwan e della Corea del Sud, assicurano che la fabbrica Samsung a Pyeongtaek abbia subito un'interruzione di corrente per 30 minuti, che ha rovinato non meno di 60.000 wafer di silicio, che avrebbero portato a chip di memoria NAND.

Un'interruzione dell'alimentazione causerà più carenze di memoria NAND

I circuiti integrati nei wafer di silicio sono incredibilmente piccoli, rendendo eventuali interruzioni di corrente durante la produzione hanno conseguenze catastrofiche. Il taglio subito dalla fabbrica Samsung è durato circa 30 minuti, abbastanza da rovinare un totale di 60.000 wafer di silicio. Questa cifra rappresenta l'11% della produzione mensile NAND di Samsung e il 3, 5% della produzione globale, con questo possiamo avere un'idea dell'entità dell'evento.

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Samsung sta lavorando per espandere in modo aggressivo la sua produzione di memoria NAND, il che significa che questa carenza di approvvigionamento verrà risolta nei prossimi mesi, poiché le nuove strutture della società entreranno in linea, anche se a breve termine questo potrebbe persino far salire il prezzo. NAND, riducendo la disponibilità a livello globale.

Una notizia spiacevole, che arriva in un momento in cui il prezzo della memoria NAND ha iniziato a stabilizzarsi e i prezzi di vendita degli SSD stanno già calando, dovrà essere visto cosa succederà nelle prossime settimane.

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