Samsung produce già memorie hbm2 da 8 a 2,4 gbps

Samsung ha fatto un nuovo importante passo avanti nella tecnologia di memoria impilata ad alta larghezza di banda, meglio conosciuta come HBM. L'azienda coreana ha già avviato la produzione in serie di stack di memoria HBM2 di seconda generazione con una capacità di 8 GB a una velocità di 2, 4 Gbps.

Samsung avvia la produzione della seconda generazione HBM2

Samsung ha riferito di aver già iniziato a produrre in serie i suoi chip di memoria HBM2 di seconda generazione, dotati di una capacità di 8 GB per stack e una frequenza operativa effettiva di 2, 4 Gbps per accelerare le capacità del supercomputer basato su GPU di nuova generazione.

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Questa nuova memoria HBM2 di seconda generazione funziona a una tensione di 1, 2 V, consentendo una maggiore efficienza energetica rispetto all'HBM2 di prima generazione che utilizzava la stessa tensione, ma raggiungeva solo una frequenza di 1, 6 Gbps. Grazie a questo, un singolo stack di questa nuova memoria raggiunge una larghezza di banda di 307 GB / s, che è quasi dieci volte più della memoria GDDR5 che è stata utilizzata negli ultimi anni in quasi tutte le schede grafiche sul mercato.

Per renderlo possibile, la tecnologia TSV (Through Silicon Via) è stata utilizzata per effettuare più di 5.000 connessioni per die, cosa che non è stata facile da ottenere con successo in un pacchetto così piccolo e che dimostra la leadership di Samsung.

In questo modo Samsung rende possibile una nuova generazione di schede grafiche con una larghezza di banda di memoria fino a 1, 2 TB / s, che aumenterà notevolmente le sue capacità. Per ora, le carte da gioco non dovrebbero utilizzare questa nuova tecnologia, per loro il GDDR6 sta aspettando.

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