Sk hynix annuncia la sua nuova memoria ddr4 da 8 GB realizzata in 1ynm

Il gigante della memoria SK Hynix ha annunciato lo sviluppo della sua memoria DRAM DDR4 da 1 Gn da 8 Gb, il che significa che può essere prodotto utilizzando litografia da 14 nm e 16 nm. Il nuovo chip offre un miglioramento del 20% della produttività rispetto alla sua controparte 1Xnm di generazione precedente e anche un miglioramento di oltre il 15% nel consumo di energia.

Nuovo RAM Hynix 1Ynm 8Gb DDR4 RAM

La nuova DRAM SKYnix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM supporta una velocità di trasferimento dati fino a 3.200 Mbps, che secondo l'azienda è la più veloce velocità di elaborazione dei dati sull'interfaccia DDR4. SK Hynix ha adottato uno schema di "timing a 4 fasi", che duplica il segnale di clock per aumentare la velocità e la stabilità del trasferimento dei dati.

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SK Hynix ha inoltre introdotto la tecnologia " Sense Amp Control " sviluppata internamente per ridurre il consumo di energia e gli errori nei dati. Con questa tecnologia, l'azienda è stata in grado di migliorare le prestazioni dell'amplificatore sensoriale. SK Hynix ha migliorato la struttura del transistor per ridurre la possibilità di errori nei dati, una sfida che accompagna la riduzione della tecnologia. La società ha inoltre aggiunto un circuito di alimentazione a bassa potenza al circuito per evitare inutili consumi energetici.

Questa DRAM DDR4 da 1Gn e 8Gb ha prestazioni e densità ottimali per i clienti dell'azienda, nelle parole del vicepresidente di SK Hynix Sean Kim. SK Hynix prevede di iniziare le spedizioni dal primo trimestre del prossimo anno per rispondere attivamente alla domanda del mercato. SK Hynix ha in programma di offrire il suo processo tecnologico 1Ynm per server e PC e quindi ad altre applicazioni come i dispositivi mobili.

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