Sk hynix sviluppa una memoria ddr4 da 1 gnm da 16 gb (gigabit)

SK hynix ha annunciato di aver sviluppato una nuova memoria DDR4 da 1 Gnm da 16 Gb (Gigabits). 1Znm offrirà la massima densità del settore e la capacità totale per wafer disponibile per i moduli DRAM DDR4 esistenti.

SK hynix sviluppa memoria DDR4 da 1 Gnm da 16 Gb (Gigabit)

La società afferma che la produttività dei nuovi moduli di memoria da 1Znm è stata migliorata di circa il 27% rispetto alla precedente linea da 1Ynm. Tuttavia, il processo di produzione non richiede un costoso litio ultravioletto estremo (EUV), rendendo la produzione a 1Znm più redditizia che mai.

La memoria SK hynix 1Znm supporta velocità di trasferimento dati fino a 3200 Mbps, ovvero la velocità di elaborazione dati più veloce dell'interfaccia DDR4. I nuovi moduli di memoria da 1Znm hanno una maggiore efficienza energetica, riducendo così con successo il consumo di energia di circa il 40% rispetto ai moduli della stessa densità della precedente DRAM da 1YNnm da 8Gb.

Nel processo di fabbricazione è stata applicata una nuova sostanza, non utilizzata nella generazione precedente, che massimizza la capacità del prodotto 1Znm. La capacità è la quantità di carica elettrica che un condensatore può memorizzare, che è un elemento chiave nel funzionamento DRAM. Nel processo è stato inoltre introdotto un nuovo design per aumentare la stabilità operativa.

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SK hynix ha in programma di estendere il processo di tecnologia 1Znm a una gamma di applicazioni tra cui la prossima generazione di DRAM LPDDR5 portatile e HBM3, che sarà la DRAM più veloce in futuro.

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