Snapdragon 835 ha filtrato le sue caratteristiche: 8 core e 10 nm finfet
Qualcomm vuole iniziare l'anno prendendo un grande successo nel succoso mercato degli smartphone, e non c'è modo migliore per farlo se non quello di annunciare quale sarà il suo nuovo processore di fascia alta. Qualcomm Snapdragon 835 darà vita a una nuova generazione di dispositivi più capaci che mai grazie ai suoi otto core ad alte prestazioni e all'efficienza del processo FinFET a 10 nm.
Lo Snapdragon 835 sarà annunciato la prossima settimana al CES 2017, il nuovo processore è costruito con il processo FinFET 10nm di seconda generazione avanzato per fare un salto di qualità in termini di efficienza energetica. Grazie a questo, il processore consumerà il 20% in meno rispetto allo Snapdragon 820 nonostante sia chiaramente superiore con l'inclusione di un totale di otto core Kryo 280 che sono divisi in due cluster quad-core a 2, 45 GHz e 1, 90 GHz.
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Nella sezione grafica troviamo la GPU Adreno 540 per offrire grandi prestazioni nei videogiochi e compatibilità con le API più recenti come DirectX 12 e Vulkan. Continuiamo con un DSP Hexagon 690 che consente la riproduzione di contenuti con risoluzione 4K e 60 FPS. Le informazioni trapelate vengono completate con la connessione 4G LTE Cat.16 con una velocità di download massima di 1.000 Mbps.
Fonte: videocardz
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