Toshiba si oppone a optane con la sua tecnologia xl

Toshiba ha annunciato al Flash Memory Summit che sta sviluppando la tecnologia 3D XL-Flash, con particolare attenzione alla creazione di memoria NAND 3D a bassa latenza in grado di competere con le tecnologie emergenti di memoria Optane e 3D XPoint. Toshiba afferma che il nuovo approccio alla memoria NAND a bassa latenza potrebbe ridurre i valori di latenza a solo 1/10 dell'attuale prezzo TLC NAND del consumatore.

La tecnologia XL-Flash promette di migliorare la latenza della memoria 3D-NAND

Un'architettura NAND aggiornata con XL-Flash potrebbe essere equivalente a ciò che Samsung sta facendo con la sua tecnologia Z-NAND, che potrebbe ridurre i costi di produzione rispetto a Optane. Toshiba utilizzerà la sua tecnologia flash BiCS, ma XL-Flash verrà implementato, almeno inizialmente, nelle implementazioni SLC, al fine di migliorare le prestazioni (7 microsecondi di tempo di risposta contro 30 microsecondi di QLC). Naturalmente, ciò ridurrà la densità di archiviazione, ma ricordiamo che l'obiettivo è offrire prestazioni simili a Optane e densità uguale o migliore a un prezzo inferiore.

I passi compiuti da Toshiba per aumentare le prestazioni includono l'accorciamento di bit line e word line, connessioni interne tra celle o percorsi più brevi tra celle significa latenza inferiore e prestazioni migliori. Inoltre, il parallelismo e le prestazioni sono stati aumentati aggiungendo più piani flash, regioni indipendenti che possono rispondere contemporaneamente alle richieste di dati.

Si prevede che XL-Flash verrà utilizzato come memoria cache nelle unità QLC ad alta densità, così come prodotti standalone che cercano di detronizzare ciò che viene offerto dalla memoria Optane di Intel.

Toshiba sembra ambiziosa con l'iniziativa XL-Flash e deve essere uno dei maggiori produttori di memoria al mondo.

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