Memoria britannica iii-v, memoria n

I ricercatori della Lancaster University nel Regno Unito hanno avuto successo nei loro sforzi per creare un tipo di memoria flash non volatile che è veloce come DRAM ma utilizza solo l' 1% dell'energia di cui ha bisogno la moderna memoria NAND o DRAM. per scrivere bit di dati. La memoria si chiama UK III-V Memory.

Memoria III-V del Regno Unito, memoria non volatile veloce come DRAM che consuma 100 volte in meno

Il consumo di energia richiesto è di circa 10 alla potenza di -17 joule per una porta costruita nel processo litografico a 20 nm. I transistor di memoria III-V del Regno Unito avranno uno stato tipicamente spento e una carica di gate richiederebbe circa 5 n con uno svuotamento che richiede 3 n, entrambe figure molto rispettabili. È probabile che queste cifre siano leggermente più alte una volta aggiunto un controller, ma varrebbe la pena compensare l'efficienza ottenuta.

Lo sviluppo è ancora in fase di transistor semplice, quindi la traduzione in un prodotto completamente commerciale è ancora molto lontana. Tuttavia, il raggiungimento di una memoria non volatile che sia efficiente e abbastanza veloce da competere con DRAM è piuttosto un risultato.

Avere una memoria non volatile alla velocità della DRAM è interessante perché può essere utilizzato per creare PC in grado di mantenere i dati attualmente memorizzati nella RAM quando il sistema è completamente spento e può quindi essere ripreso in un istante da dove era stato lasciato da uno stato di spegnimento completo. Ciò eliminerebbe la necessità di stati di sospensione e consentirebbe anche ai sistemi di arrestare la RAM quando è inattivo, riducendo ulteriormente il consumo di energia.

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La domanda che mi viene in mente è se la memoria III-V del Regno Unito è in grado di gestire le ripetute riscritture a cui è sottoposta la DRAM. Se l'usura è un problema, ciò potrebbe schiacciare qualsiasi sogno di un computer con RAM non volatile.

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