Samsung annuncia la prima memoria lpddr5 da 8 gp prodotta a 10 nm
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Samsung ha annunciato oggi di aver sviluppato con successo la prima DRAM LPDDR5 da 10 nanometri del settore con una capacità di 8 gigabit. Questo risultato è stato reso possibile da quattro anni di lavoro dall'introduzione del primo chip LPDDR4 da 8 Gb nel 2014.
Samsung ha già una memoria LPDDR5 da 8 Gb prodotta a 10 nm
Samsung sta già lavorando a tutta velocità, per avviare la produzione di massa della sua tecnologia di memoria LPDDR5 il più presto possibile, per l'utilizzo nelle prossime applicazioni mobili con 5G e Intelligenza artificiale. Questo chip LPDDR5 da 8 Gb offre una velocità di trasferimento dati fino a 6.400 MB / s, rendendolo 1, 5 volte più veloce degli attuali chip LPDDR4X da 4266 Mb / s. Questa elevata velocità ti consentirà di inviare 51, 2 GB di dati o 14 file video Full HD da 3, 7 GB ciascuno in un solo secondo.
Consigliamo di leggere il nostro post su Samsung per iniziare la produzione in serie della sua memoria VNAND di quinta generazione
La DRAM LPDDR5 da 10 nm sarà disponibile in due larghezze di banda: 6.400 Mb / s con una tensione di esercizio di 1, 1 V e 5.500 Mb / s a 1, 05 V, rendendola la soluzione di memoria mobile più versatile per smartphone e sistemi automobilistici. prossima generazione. Questo avanzamento delle prestazioni è stato reso possibile da vari miglioramenti dell'architettura, come il raddoppio del numero di banchi di memoria da otto a 16, per ottenere una velocità molto più elevata riducendo al contempo il consumo energetico. Il nuovo chip LPDDR5 utilizza anche un'architettura di circuito altamente avanzata e ottimizzata per la velocità che verifica e garantisce prestazioni.
Grazie alle sue caratteristiche di basso consumo, la memoria DRAM LPDDR5 offrirà riduzioni del consumo energetico fino al 30%, massimizzando le prestazioni dei dispositivi mobili e prolungando la durata della batteria dei dispositivi.
Samsung prevede di iniziare la produzione in serie delle sue nuove linee DRD di nuova generazione LPDDR5, DDR5 e GDDR6 in linea con le esigenze dei clienti globali, sfruttando l'infrastruttura di produzione all'avanguardia sulla sua ultima linea a Pyeongtaek, in Corea.
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